RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Vergleichen Sie
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Gesamtnote
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
28
Rund um 11% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.3
16.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.1
10.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
17.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
14.1
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2764
3367
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link