RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
28
Около 11% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.3
16.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.1
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
28
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
17.3
Скорость записи, Гб/сек
10.1
14.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
3367
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston 9905734-059.A00G 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link