RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB против Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
29
Около -4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.5
12.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.6
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
28
Скорость чтения, Гб/сек
12.1
13.5
Скорость записи, Гб/сек
7.8
10.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2177
2652
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-12800CL9-4GBRL 4GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8A
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link