RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Сравнить
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
96
Около -182% меньшая задержка
Выше скорость чтения
9.6
6.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.6
4.2
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR3
Задержка в PassMark, нс
96
34
Скорость чтения, Гб/сек
6.8
9.6
Скорость записи, Гб/сек
4.2
7.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
10600
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
992
2050
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4C-H9 8GB Сравнения RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMT31GR7EFR4C-H9 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMW64GX4M8Z2933C16 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9905701-132.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link