RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Сравнить
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
96
Около -182% меньшая задержка
Выше скорость чтения
9.6
6.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.6
4.2
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR3
Задержка в PassMark, нс
96
34
Скорость чтения, Гб/сек
6.8
9.6
Скорость записи, Гб/сек
4.2
7.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
10600
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
992
2050
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4C-H9 8GB Сравнения RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMT31GR7EFR4C-H9 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Crucial Technology CT8G3S1339M.M16FP 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17/16G 16GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9965669-005.A01G 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston KHX3000C16D4/16GX 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link