RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Сравнить
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
96
Около -182% меньшая задержка
Выше скорость чтения
9.6
6.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.6
4.2
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR3
Задержка в PassMark, нс
96
34
Скорость чтения, Гб/сек
6.8
9.6
Скорость записи, Гб/сек
4.2
7.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
10600
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
992
2050
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4C-H9 8GB Сравнения RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMT31GR7EFR4C-H9 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Apacer Technology 78.B1GN3.4032B 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link