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Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
比较
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
总分
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
总分
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01% 更高的带宽
需要考虑的原因
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
96
左右 -182% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
9.6
6.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.6
4.2
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR3
PassMark中的延时,ns
96
34
读取速度,GB/s
6.8
9.6
写入速度,GB/s
4.2
7.6
内存带宽,mbps
21300
10600
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
排名PassMark (越多越好)
992
2050
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB RAM的比较
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
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Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
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