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Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Compara
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Puntuación global
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
96
En -182% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
9.6
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.6
4.2
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR3
Latencia en PassMark, ns
96
34
Velocidad de lectura, GB/s
6.8
9.6
Velocidad de escritura, GB/s
4.2
7.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
Other
Descripción
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Tiempos / Velocidad del reloj
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
992
2050
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4C-H9 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMT31GR7EFR4C-H9 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4C
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Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
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Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
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