Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4C-H9 8GB

Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4C-H9 8GB

Puntuación global
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Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB

Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB

Puntuación global
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4C-H9 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4C-H9 8GB

Diferencias

  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    21300 left arrow 10600
    En 2.01% mayor ancho de banda
  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    34 left arrow 96
    En -182% menor latencia
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    9.6 left arrow 6.8
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    7.6 left arrow 4.2
    Valor medio en las pruebas

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR4 left arrow DDR3
  • Latencia en PassMark, ns
    96 left arrow 34
  • Velocidad de lectura, GB/s
    6.8 left arrow 9.6
  • Velocidad de escritura, GB/s
    4.2 left arrow 7.6
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    21300 left arrow 10600
Other
  • Descripción
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    992 left arrow 2050
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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