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Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
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Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
総合得点
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
総合得点
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
バグを報告する
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
10600
周辺 2.01% 高帯域
考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
34
96
周辺 -182% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
9.6
6.8
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
7.6
4.2
テスト平均値
仕様
技術仕様の完全リスト
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR3
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
96
34
読み出し速度、GB/s
6.8
9.6
書き込み速度、GB/秒
4.2
7.6
メモリ帯域幅、mbps
21300
10600
Other
商品説明
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
タイミング / クロック速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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