Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4C-H9 8GB

Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4C-H9 8GB

Punteggio complessivo
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Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB

Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB

Punteggio complessivo
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4C-H9 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4C-H9 8GB

Differenze

  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    21300 left arrow 10600
    Intorno 2.01% larghezza di banda superiore
  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    34 left arrow 96
    Intorno -182% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    9.6 left arrow 6.8
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    7.6 left arrow 4.2
    Valore medio nei test

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR4 left arrow DDR3
  • Latenza in PassMark, ns
    96 left arrow 34
  • Velocità di lettura, GB/s
    6.8 left arrow 9.6
  • Velocità di scrittura, GB/s
    4.2 left arrow 7.6
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    21300 left arrow 10600
Other
  • Descrizione
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    992 left arrow 2050
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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