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Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
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Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
96
Rund um -182% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.6
6.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.6
4.2
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR3
Latenzzeit in PassMark, ns
96
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
6.8
9.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
4.2
7.6
Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Other
Beschreibung
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Timings / Taktgeschwindigkeit
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
992
2050
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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