RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
96
Wokół strony -182% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
9.6
6.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.6
4.2
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR3
Opóźnienie w PassMark, ns
96
34
Prędkość odczytu, GB/s
6.8
9.6
Prędkość zapisu, GB/s
4.2
7.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
10600
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
992
2050
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4C-H9 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMT31GR7EFR4C-H9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
Kingston FQ453-80003 1GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link