Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4C-H9 8GB

Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4C-H9 8GB

Wynik ogólny
star star star star star
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB

Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB

Wynik ogólny
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4C-H9 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4C-H9 8GB

Różnice

  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    21300 left arrow 10600
    Wokół strony 2.01% większa szerokość pasma
  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    34 left arrow 96
    Wokół strony -182% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    9.6 left arrow 6.8
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    7.6 left arrow 4.2
    Średnia wartość w badaniach

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR4 left arrow DDR3
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    96 left arrow 34
  • Prędkość odczytu, GB/s
    6.8 left arrow 9.6
  • Prędkość zapisu, GB/s
    4.2 left arrow 7.6
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    21300 left arrow 10600
Other
  • Opis
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
  • Taktowanie / szybkość zegara
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    992 left arrow 2050
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania