RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
28
Wokół strony -22% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.5
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.8
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
8500
Wokół strony 2.51 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
23
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
17.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
21300
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
3905
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK128GX4M8A2133C13 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9905663-007.A00G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link