RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Gesamtnote
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gesamtnote
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
28
Rund um -22% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.5
12.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
17.8
7.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
8500
Rund um 2.51 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.7
18.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.5
17.8
Speicherbandbreite, mbps
8500
21300
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1988
3905
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM-Vergleiche
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Kingston 99U5431-005.A00LF 512MB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905622-025.A01G 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link