RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
40
Wokół strony 18% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.0
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
40
Prędkość odczytu, GB/s
8.0
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
14.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1911
2965
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
King Tiger Technology TMKU8G868-240U 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Kingston 9905458-009.A00LF 2GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link