RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Confronto
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
40
Intorno 18% latenza inferiore
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16
8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.0
7.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
33
40
Velocità di lettura, GB/s
8.0
16.0
Velocità di scrittura, GB/s
7.3
14.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1911
2965
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Corsair CMW64GX4M4C3466C16 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link