RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
36
Wokół strony 31% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
16
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.2
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
36
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
3313
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHA0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston KHX2400C15D4/8G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link