RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
36
Около 31% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.1
16
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
13.2
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
36
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
16.0
Скорость записи, Гб/сек
10.1
13.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
3313
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link