RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Сравнить
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB против SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Средняя оценка
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
58
59
Около 2% меньшая задержка
Выше скорость чтения
4
17.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
7.6
2,107.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
58
59
Скорость чтения, Гб/сек
4,025.3
17.3
Скорость записи, Гб/сек
2,107.0
7.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
670
1954
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.0AGA0.9K5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK32GX4M4B4000C19 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK128GX4M8X3600C18 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link