RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Kingston 9905744-066.A00G 32GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
47
Около 49% меньшая задержка
Причины выбрать
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.8
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.7
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
47
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.8
Скорость записи, Гб/сек
12.5
14.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
25600
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3099
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 9905744-066.A00G 32GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
SK Hynix HMT351S6EFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Corsair CM3B8G2A1333L9 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link