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Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Comparez
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Note globale
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
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Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
96
Autour de -182% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
9.6
6.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.6
4.2
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR3
Latence dans PassMark, ns
96
34
Vitesse de lecture, GB/s
6.8
9.6
Vitesse d'écriture, GB/s
4.2
7.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
21300
10600
Other
Description
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Timings / Vitesse d'horloge
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
992
2050
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RAM 1
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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