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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Comparez
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Note globale
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Note globale
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
86
Autour de 66% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.9
14.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.0
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
19200
Autour de 1.11 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
29
86
Vitesse de lecture, GB/s
16.9
14.3
Vitesse d'écriture, GB/s
12.0
8.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
21300
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2601
1658
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB Comparaison des RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Kingston 99U5403-034.A00G 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Smart Modular SF464128CKHI6DFSEG 4GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
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