RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Сравнить
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB против Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
40
Около 35% меньшая задержка
Выше скорость чтения
12.8
9.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.0
6.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
40
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
9.3
Скорость записи, Гб/сек
9.0
6.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
2117
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Сравнения RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB Сравнения RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link