RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Confronto
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
40
Intorno 35% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
12.8
9.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.0
6.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
40
Velocità di lettura, GB/s
12.8
9.3
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
6.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2143
2117
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link