RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Сравнить
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB против G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
38
Около -23% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.3
15.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
18.2
12.0
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
31
Скорость чтения, Гб/сек
15.5
20.3
Скорость записи, Гб/сек
12.0
18.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2283
3738
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9905702-136.A00G 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link