RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
38
Wokół strony -23% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.3
15.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.2
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
31
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
20.3
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
18.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
3738
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905625-029.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link