RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Porównaj
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB vs Teclast TLD416G26A30 16GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Wynik ogólny
Teclast TLD416G26A30 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
36
Wokół strony 25% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Teclast TLD416G26A30 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.9
13.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.1
7.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
36
Prędkość odczytu, GB/s
13.1
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
7.7
13.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2009
2719
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Teclast TLD416G26A30 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMK32GX4M4K4133C19 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kllisre 0000 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link