RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
32
Около 9% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.0
8.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.2
13.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
32
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
15.2
Скорость записи, Гб/сек
9.0
8.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
2430
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3466C16 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9965669-031.A00G 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link