RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
28
Wokół strony 11% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.3
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.1
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
28
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
14.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
3367
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CM4X16GE2400C16K4 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link