RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
18.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,784.6
14.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
20
65
Rund um -225% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
65
20
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,806.8
18.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,784.6
14.2
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
932
3540
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9965662-019.A00G 32GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link