RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Comparez
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Note globale
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
18.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,784.6
14.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
20
65
Autour de -225% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
65
20
Vitesse de lecture, GB/s
4,806.8
18.4
Vitesse d'écriture, GB/s
2,784.6
14.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
932
3540
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link