RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Gesamtnote
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
65
91
Rund um 29% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
6.1
4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
4.3
2,784.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
65
91
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,806.8
6.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,784.6
4.3
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
932
1214
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston KYXC0V-MIH 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 2OZ 4GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 9965745-002.A00G 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9905744-076.A00G 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link