Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB

Puntuación global
star star star star star
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

Puntuación global
star star star star star
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB

Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB

Diferencias

  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    65 left arrow 91
    En 29% menor latencia
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    6.1 left arrow 4
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    4.3 left arrow 2,784.6
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    21300 left arrow 6400
    En 3.33 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    65 left arrow 91
  • Velocidad de lectura, GB/s
    4,806.8 left arrow 6.1
  • Velocidad de escritura, GB/s
    2,784.6 left arrow 4.3
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    6400 left arrow 21300
Other
  • Descripción
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    932 left arrow 1214
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Últimas comparaciones