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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
16.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,784.6
12.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
65
Rund um -132% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
65
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,806.8
16.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,784.6
12.7
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
932
2417
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMK32GX4M4B4000C19 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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