RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Gesamtnote
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
10.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
52
65
Rund um -25% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.7
2,784.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
65
52
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,806.8
10.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,784.6
7.7
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
932
2236
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston HP24D4S7S8MBP-8 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link