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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
比较
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
总分
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
总分
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
10.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
52
65
左右 -25% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
7.7
2,784.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
65
52
读取速度,GB/s
4,806.8
10.5
写入速度,GB/s
2,784.6
7.7
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
932
2236
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB RAM的比较
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
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Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
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Kingston 9905598-039.A00G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
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