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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
总分
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
总分
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
52
左右 48% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.7
10.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.8
7.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
19200
左右 1.11% 更高的带宽
需要考虑的原因
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
报告一个错误
规格
完整的技术规格清单
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
52
读取速度,GB/s
16.7
10.5
写入速度,GB/s
11.8
7.7
内存带宽,mbps
21300
19200
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2756
2236
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB RAM的比较
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Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
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