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Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
比较
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
总分
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
总分
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
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需要考虑的原因
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
38
43
左右 -13% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.5
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
7.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
38
读取速度,GB/s
11.4
15.5
写入速度,GB/s
7.7
12.0
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
1823
2283
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
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