RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Confronto
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Punteggio complessivo
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
38
43
Intorno -13% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.5
11.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.0
7.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
12800
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
43
38
Velocità di lettura, GB/s
11.4
15.5
Velocità di scrittura, GB/s
7.7
12.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
25600
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1823
2283
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link