Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

総合得点

Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB

Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB

総合得点

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

相違点仕様コメント

相違点

Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB

考慮すべき理由
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB

バグを報告する

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

考慮すべき理由
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

バグを報告する

PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

38 43

周辺 -13% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s

15.5 11.4

テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s

12.0 7.7

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

25600 12800

周辺 2 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR3 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

43 38
読み出し速度、GB/s

11.4 15.5
書き込み速度、GB/秒

7.7 12.0
メモリ帯域幅、mbps

12800 25600

Other

商品説明

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
タイミング / クロック速度

9-9-9-24 / 1600 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

1823 2283

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB

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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB

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Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB

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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

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Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB

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Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB

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Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB

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Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB

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Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB

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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB

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SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB

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Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB

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