RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Comparez
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Note globale
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Note globale
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
38
43
Autour de -13% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.5
11.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.0
7.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
12800
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
43
38
Vitesse de lecture, GB/s
11.4
15.5
Vitesse d'écriture, GB/s
7.7
12.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
25600
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1823
2283
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMK128GX4M4A2400C16 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link