RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Gesamtnote
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
18.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,784.6
16.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
65
Rund um -150% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
65
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,806.8
18.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,784.6
16.2
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
932
3756
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB RAM-Vergleiche
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9905625-030.A00G 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link