RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB против Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Средняя оценка
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
18.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,784.6
16.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
65
Около -150% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
26
Скорость чтения, Гб/сек
4,806.8
18.6
Скорость записи, Гб/сек
2,784.6
16.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
932
3756
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB Сравнения RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston 9905734-062.A00G 32GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link