RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Сравнить
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB против SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Средняя оценка
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
60
101
Около 41% меньшая задержка
Выше скорость чтения
4
14.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
7.0
2,168.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
60
101
Скорость чтения, Гб/сек
4,595.2
14.2
Скорость записи, Гб/сек
2,168.2
7.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
941
1313
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link