RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
60
101
Wokół strony 41% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.0
2,168.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
101
Prędkość odczytu, GB/s
4,595.2
14.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,168.2
7.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
941
1313
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link