RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Porównaj
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
101
Wokół strony 73% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
14.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
7.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
101
Prędkość odczytu, GB/s
16.7
14.2
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
7.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
19200
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2756
1313
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB Porównanie pamięci RAM
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CMA 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-4GSR 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link