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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Comparar
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Pontuação geral
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
60
101
Por volta de 41% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
14.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
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Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.0
2,168.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
5300
Por volta de 3.62 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
60
101
Velocidade de leitura, GB/s
4,595.2
14.2
Velocidade de escrita, GB/s
2,168.2
7.0
Largura de banda de memória, mbps
5300
19200
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
941
1313
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
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SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
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