RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Gesamtnote
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
15.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
65
Rund um -183% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
2,784.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
65
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,806.8
15.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,784.6
9.5
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
932
2619
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Apacer Technology 78.CAGQE.C750B 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Avant Technology W641GU42J7240NB 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link