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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Comparez
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Note globale
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Note globale
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
15.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
65
Autour de -183% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.5
2,784.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
65
23
Vitesse de lecture, GB/s
4,806.8
15.3
Vitesse d'écriture, GB/s
2,784.6
9.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
932
2619
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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