RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
Comparez
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
Note globale
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Note globale
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
29
Autour de 10% latence réduite
Raisons de considérer
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.5
12.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.2
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
29
Vitesse de lecture, GB/s
12.8
18.5
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
15.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2143
3787
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaison des RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C15 16GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link