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Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB vs Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Gesamtnote
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
19.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
20
56
Rund um -180% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.2
1,501.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
4200
Rund um 4.05 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
56
20
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,161.0
19.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,501.2
15.2
Speicherbandbreite, mbps
4200
17000
Other
Beschreibung
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
381
3473
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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