Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB

Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB vs Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB

Gesamtnote
star star star star star
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB

Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB

Gesamtnote
star star star star star
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB

Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB

Unterschiede

Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Einen Fehler melden
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    3 left arrow 13.5
    Durchschnittswert bei den Tests
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB Gründe für die Berücksichtigung
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Einen Fehler melden
  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    37 left arrow 56
    Rund um -51% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    8.5 left arrow 1,501.2
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    19200 left arrow 4200
    Rund um 4.57 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    56 left arrow 37
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    3,161.0 left arrow 13.5
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    1,501.2 left arrow 8.5
  • Speicherbandbreite, mbps
    4200 left arrow 19200
Other
  • Beschreibung
    PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    4-4-4-12 / 533 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    381 left arrow 2026
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Letzte Vergleiche